高压卡尔蔡司电子显微镜代理

• 通过 Nano-twin 物镜实现**低电压下的优 化高分辨率 • 通过新的大视野概览模式实现样品导航和 高分辨率成像之间的无缝过渡 • 通过新的自动聚焦功能和新的快速镜筒对 中算法实现高速优化图像质量。

全套探测系统： 根据出射能量和出射角选 择性地探测样品的电子 GeminiSEM 系列的全套探测系统有大量不同 的探测器可供选配。通过组合 EsB (能量选 择背散射) 探测器、 Inlens 二次电子探测器 及 AsB (角度选择背散射) 探测器获取样品 材料、表面形貌或结晶度的信息。入射电子 与样品作用后可产生二次电子( SE ) 和背散 射电子( BSE )。从纳米级样品表面逃逸出的、 能量小于 50 eV 的二次电子可用来表征样 品的表面形貌。这些二次电子可通过*特设 计的电子束推进器向后加速进入镜筒，并经 Gemini 物镜投射到环形 Inlens 二次电子探测 器里。 GeminiSEM 可根据样品的表面条件在 宽角度范围内探测二次电子。

背散射电子产生于样品表面之下，可提供 样品材质成分的衬度信息。背散射电子通 常以与入射电子束成 15 度角的圆锥状出 射， 被 Gemini 镜筒电子束推进器吸入后射 到镜筒内。由于二次电子( SE ) 与背散射 电子( BSE ) 具有不同的能量，它们会在电 子束推进器内产生不同轨迹。

大部分的背 散射电子能够穿过 Inlens SE 探测器，并被 EsB 探测器收集。此外， Inlens EsB 探测器 还可有选择地收集不同能量的背散射电子。 如果出射角大于 15 度， 则 BSE 无法进入镜 筒，但会被 AsB (角度选择背散射) 或可 抽插式 aBSD 探测器探测到。aBSD 探测器 能够提供样品的成分衬度、形貌和 3D 表面 信息。样品室背散射电子探测器( BSD )和 扫描透射电子探测器可以在低加速电压下 拥有更高效率，且能实现**速成像。

专为日常检测和分析应用而设计，蔡司 EVO 拥有先进的操作 设计理念，无论是经验丰富的显微技术人员还是不具备扫描 显微镜专业知识的工程师，均可轻松上手。它能够提供出色 的高质量数据，特别适合于后续检测中无法涂覆导电层的非 导电零部件。

扩展功能 ■ 与蔡司电镜可实现联用, 实现样品的多尺 度多维度研究; ■ 搭载第三方配件, 如冷热台, 拉伸台, 实 现样品原位 4D 分析; ■ 搭载 Airyscan 实现高分辨荧光成像; ■ 配置 ZEN Intellesis 软件提供基于机器学习 的图像分割解决方案,可用于鉴别复杂样 品的不同相组织。
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